AON7502 est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:

Similaire


Texas Instruments
En stock: 0
Prix unitaire : 0,62000 €
Fiche technique

Similaire


Texas Instruments
En stock: 0
Prix unitaire : 1,33000 €
Fiche technique

Similaire


Diodes Incorporated
En stock: 0
Prix unitaire : 0,21474 €
Fiche technique

Similaire


Diodes Incorporated
En stock: 588
Prix unitaire : 0,76000 €
Fiche technique

Similaire


Rohm Semiconductor
En stock: 0
Prix unitaire : 0,78000 €
Fiche technique

Similaire


Rohm Semiconductor
En stock: 3 000
Prix unitaire : 0,47000 €
Fiche technique

Similaire


Rohm Semiconductor
En stock: 1 317
Prix unitaire : 1,45000 €
Fiche technique

Similaire


Rohm Semiconductor
En stock: 2 210
Prix unitaire : 0,53000 €
Fiche technique

Similaire


Rohm Semiconductor
En stock: 1 584
Prix unitaire : 0,61000 €
Fiche technique

Similaire


Toshiba Semiconductor and Storage
En stock: 0
Prix unitaire : 1,37000 €
Fiche technique

Similaire


Toshiba Semiconductor and Storage
En stock: 0
Prix unitaire : 1,15000 €
Fiche technique

Similaire


Toshiba Semiconductor and Storage
En stock: 0
Prix unitaire : 1,44000 €
Fiche technique

Similaire


Toshiba Semiconductor and Storage
En stock: 0
Prix unitaire : 0,98000 €
Fiche technique
AON7296
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

AON7502

Numéro de produit DigiKey
AON7502-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
AON7502
Description
MOSFET N-CH 30V 21A/30A 8DFN
Référence client
Description détaillée
Canal N 30 V 21 A (Ta), 30 A (Tc) 3,1W (Ta), 31W (Tc) Montage en surface 8-DFN-EP (3x3)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
4,7mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1022 pF @ 15 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3,1W (Ta), 31W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
8-DFN-EP (3x3)
Boîtier
Numéro de produit de base
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.