TO-220-3
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AOTF10N60L

Numéro de produit DigiKey
AOTF10N60L-ND
Fabricant
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Numéro de produit du fabricant
AOTF10N60L
Description
MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3F
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 10 A (Tc) Trou traversant TO-220F
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
10 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs
750mohms à 5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
40 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1600 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-220F
Boîtier
Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base
AOTF10
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Devis du fabricant requis
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