Name: CGD65B130SH2
Brand: Cambridge GaN Devices
SKU: 4768-CGD65B130SH2TR-ND
Price: 7.32 EUR
Availability: OutOfStock

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CGD65B130SH2
Numéro de produit DigiKey	4768-CGD65B130SH2TR-ND - Bande et bobine 4768-CGD65B130SH2CT-ND - Bande coupée (CT) 4768-CGD65B130SH2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Cambridge GaN Devices
Numéro de produit du fabricant	CGD65B130SH2
Description	650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN5X6.
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 12A Montage en surface 8-DFN (5x6)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Cambridge GaN Devices
Série	ICeGaN™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	GaNFET (nitrure de gallium)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	12A
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	12V
Rds On (max.) à Id, Vgs	182mohms à 900mA, 12V
Vgs(th) (max.) à Id	4,2V à 4,2mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	1.9 nC @ 12 V
Vgs (max.)	+20V, -1V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	-
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-DFN (5x6)
Boîtier	8-PowerVDFN