Name: CDFG6558N TR13 PBFREE
Brand: Central Semiconductor Corp
SKU: 1514-CDFG6558NTR13PBFREETR-ND
Price: 10.392 EUR
Availability: OutOfStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

CDFG6558N TR13 PBFREE
Numéro de produit DigiKey	1514-CDFG6558NTR13PBFREETR-ND - Bande et bobine 1514-CDFG6558NTR13PBFREECT-ND - Bande coupée (CT) 1514-CDFG6558NTR13PBFREEDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Central Semiconductor Corp
Numéro de produit du fabricant	CDFG6558N TR13 PBFREE
Description	GANFET N-CH 650V 29A 8DFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	25 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 29 A (Tc) 1,1W (Ta), 188W (Tc) Montage en surface 8-DFN (8x8)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Central Semiconductor Corp
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	GaNFET (nitrure de gallium)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	29 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V
Rds On (max.) à Id, Vgs	80mohms à 8A, 6V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 30,7mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	6.2 nC @ 6 V
Vgs (max.)	+7V, -6V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	225 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,1W (Ta), 188W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-DFN (8x8)
Boîtier	8-VDFN plot exposé