Name: 2N7002H-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 2N7002H-13DI-ND
Price: 0.02735 EUR
Availability: OutOfStock

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2N7002H-13
Numéro de produit DigiKey	2N7002H-13DI-ND - Bande et bobine
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	2N7002H-13
Description	MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 170mA (Ta) 370mW (Ta) Montage en surface SOT-23-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	170mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	7,5ohms à 50mA, 5V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	0.35 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	26 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	370mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-23-3
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base	2N7002