Name: BS107PSTZ
Brand: Diodes Incorporated
SKU: BS107PSTZTB-ND
Price: 0.96 EUR
Availability: OutOfStock

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BS107PSTZ
Numéro de produit DigiKey	BS107PSTZDICT-ND - Bande coupée (CT) BS107PSTZTB-ND - Bande et boîte
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	BS107PSTZ
Description	MOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 200 V 120mA (Ta) 500mW (Ta) Trou traversant E-Line (compatible TO-92)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande coupée (CT) Bande et boîte
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	120mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	2,6V, 5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	30ohms à 100mA, 5V
Vgs(th) (max.) à Id	-
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	85 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	500mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	E-Line (compatible TO-92)
Boîtier	E-Line-3
Numéro de produit de base	BS107