Name: DMN10H099SFG-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN10H099SFG-13-ND
Price: 0.23665 EUR
Availability: OutOfStock

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Diodes Incorporated

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DMN10H099SFG-13
Numéro de produit DigiKey	DMN10H099SFG-13-ND - Bande et bobine
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN10H099SFG-13
Description	MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 4,2 A (Ta) 980mW (Ta) Montage en surface POWERDI3333-8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	4,2 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	80mohms à 3,3A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	25.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1172 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	980mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	POWERDI3333-8
Boîtier	8-PowerVDFN
Numéro de produit de base	DMN10