Name: DMN2008LFU-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2008LFU-7DITR-ND
Price: 0.876 EUR
Availability: OutOfStock

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DMN2008LFU-7
Numéro de produit DigiKey	DMN2008LFU-7DITR-ND - Bande et bobine DMN2008LFU-7DICT-ND - Bande coupée (CT) DMN2008LFU-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN2008LFU-7
Description	MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 20V 14,5A 1W Montage en surface U-DFN2030-6 (Type B)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	DMN2008LFU-7 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 à canal N (double), drain commun
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	14,5A
Rds On (max.) à Id, Vgs	5,4mohms à 5,5A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,5V à 250A
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	42,3nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1418pF à 10V
Puissance - Max.	1W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	6-UFDFN plot exposé
Boîtier fournisseur	U-DFN2030-6 (Type B)
Numéro de produit de base	DMN2008