Name: DMN2014LHAB-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN2014LHAB-13TR-ND
Price: 0.828 EUR
Availability: OutOfStock

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DMN2014LHAB-13
Numéro de produit DigiKey	31-DMN2014LHAB-13TR-ND - Bande et bobine 31-DMN2014LHAB-13CT-ND - Bande coupée (CT) 31-DMN2014LHAB-13DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN2014LHAB-13
Description	MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 20V 9 A (Ta) 800mW (Ta) Montage en surface U-DFN2030-6 (Type B)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	9 A (Ta)
Rds On (max.) à Id, Vgs	13mohms à 4A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	16nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1550pF à 10V
Puissance - Max.	800mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	6-UFDFN plot exposé
Boîtier fournisseur	U-DFN2030-6 (Type B)
Numéro de produit de base	DMN2014

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Quantité

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