Name: DMN2016UTS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2016UTS-13DITR-ND
Price: 0.888 EUR
Availability: InStock

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DMN2016UTS-13
Numéro de produit DigiKey	DMN2016UTS-13DITR-ND - Bande et bobine DMN2016UTS-13DICT-ND - Bande coupée (CT) DMN2016UTS-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN2016UTS-13
Description	MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8TSSOP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 20V 8,58 A 880mW Montage en surface 8-TSSOP
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	DMN2016UTS-13 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 à canal N (double), drain commun
Fonction FET	Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	8,58 A
Rds On (max.) à Id, Vgs	14,5mohms à 9,4A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	16,5nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1495pF à 10V
Puissance - Max.	880mW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-TSSOP (0,173po, 4,40mm de largeur)
Boîtier fournisseur	8-TSSOP
Numéro de produit de base	DMN2016