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X2-DFN1006-3
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DMN2400UFB4-7R

Numéro de produit DigiKey
DMN2400UFB4-7RDI-ND - Bande et bobine
Fabricant
Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant
DMN2400UFB4-7R
Description
MOSFET N-CH X2-DFN1006-3
Référence client
Description détaillée
Canal N 20 V 750mA (Ta) 470mW (Ta) Montage en surface X2-DFN1006-3
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Diodes Incorporated
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
750mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
1,8V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs
550mohms à 600mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id
900mV à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
0.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
36 pF @ 16 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
470mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
X2-DFN1006-3
Boîtier
3-XFDFN
Numéro de produit de base
DMN2400
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Devis du fabricant requis
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