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Équivalent paramétrique

DMN3018SFG-13
Diodes Incorporated
En stock: 218
Prix unitaire : 0,43000 €
Fiche technique

Équivalent paramétrique

DMN3018SFG-7
Diodes Incorporated
En stock: 0
Prix unitaire : 0,47000 €
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Équivalent paramétrique

DMN3018SFGQ-7
Diodes Incorporated
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8PowerVDFN
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DMN3018SFGQ-13

Numéro de produit DigiKey
DMN3018SFGQ-13-ND - Bande et bobine
Fabricant
Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant
DMN3018SFGQ-13
Description
MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
24 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 30 V 8,5 A (Ta) 1W (Ta) Montage en surface POWERDI3333-8
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Diodes Incorporated
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
8,5 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
21mohms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
13.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
697 pF @ 15 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
POWERDI3333-8
Boîtier
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
DMN3018
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Disponible sur commande
Stock usine : 9 000
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
3 0000,15155 €454,65 €
6 0000,13894 €833,64 €
9 0000,13251 €1 192,59 €
15 0000,12528 €1 879,20 €
21 0000,12100 €2 541,00 €
30 0000,11998 €3 599,40 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:0,15155 €
Prix unitaire avec TVA:0,18186 €