Name: DMN3023L-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3023L-13DI-ND
Price: 0.09847 EUR
Availability: OutOfStock

DMN3023L-13 est disponible à l'achat mais n'est pas normalement stocké.

Substituts disponibles:

Similaire

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

En stock: 0

Prix unitaire : 0,00000 €

Similaire

Panjit International Inc.

En stock: 2 601

Prix unitaire : 0,19000 €

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

DMN3023L-13
Numéro de produit DigiKey	DMN3023L-13DI-ND - Bande et bobine
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN3023L-13
Description	MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 6,2 A (Ta) 900mW (Ta) Montage en surface SOT-23-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	6,2 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	2,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	25mohms à 4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	1,8V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	18.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	873 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	900mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 155°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-23-3
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base	DMN3023