Name: DMN3023L-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3023L-7DITR-ND
Price: 0.492 EUR
Availability: OutOfStock

DMN3023L-7 est en rupture de stock et peut être placé en commande différée.

Substituts disponibles:

Similaire

Nexperia USA Inc.

En stock: 0

Prix unitaire : 0,41000 €

Similaire

Nexperia USA Inc.

En stock: 0

Prix unitaire : 0,24000 €

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

DMN3023L-7
Numéro de produit DigiKey	DMN3023L-7DITR-ND - Bande et bobine DMN3023L-7DICT-ND - Bande coupée (CT) DMN3023L-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN3023L-7
Description	MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 6,2 A (Ta) 900mW (Ta) Montage en surface SOT-23-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	DMN3023L-7 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	6,2 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	2,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	25mohms à 4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	1,8V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	18.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	873 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	900mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-23-3
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base	DMN3023