Name: DMN3026LVTQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN3026LVTQ-7TR-ND
Price: 0.576 EUR
Availability: OutOfStock

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DMN3026LVTQ-7
Numéro de produit DigiKey	31-DMN3026LVTQ-7TR-ND - Bande et bobine 31-DMN3026LVTQ-7CT-ND - Bande coupée (CT) 31-DMN3026LVTQ-7DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN3026LVTQ-7
Description	MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 6,6 A (Ta) 1,2W (Ta) Montage en surface TSOT-26
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	6,6 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	23mohms à 6,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	12.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	643 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,2W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TSOT-26
Boîtier	SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
Numéro de produit de base	DMN3026

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