Name: DMN3032LFDBQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3032LFDBQ-7DITR-ND
Price: 0.66 EUR
Availability: InStock

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DMN3032LFDBQ-7
Numéro de produit DigiKey	DMN3032LFDBQ-7DITR-ND - Bande et bobine DMN3032LFDBQ-7DICT-ND - Bande coupée (CT) DMN3032LFDBQ-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN3032LFDBQ-7
Description	MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 6,2A 1W Montage en surface U-DFN2020-6 (Type B)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	6,2A
Rds On (max.) à Id, Vgs	30mohms à 5,8A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	10,6nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	500pF à 15V
Puissance - Max.	1W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	6-UDFN plot exposé
Boîtier fournisseur	U-DFN2020-6 (Type B)
Numéro de produit de base	DMN3032