Name: DMN3069L-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN3069L-13TR-ND
Price: 0.06394 EUR
Availability: OutOfStock

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DMN3069L-13
Numéro de produit DigiKey	31-DMN3069L-13TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN3069L-13
Description	MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 5,3 A (Ta) 800mW Montage en surface SOT-23-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	5,3 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	30mohms à 4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	1,8V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	8.1 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	309 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	800mW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-23-3
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base	DMN3069

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