Name: DMN30H4D0LFDE-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN30H4D0LFDE-7DITR-ND
Price: 0.696 EUR
Availability: InStock

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DMN30H4D0LFDE-7
Numéro de produit DigiKey	DMN30H4D0LFDE-7DITR-ND - Bande et bobine DMN30H4D0LFDE-7DICT-ND - Bande coupée (CT) DMN30H4D0LFDE-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN30H4D0LFDE-7
Description	MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 300 V 550mA (Ta) 630mW (Ta) Montage en surface U-DFN2020-6 (Type E)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	300 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	550mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	2,7V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	4ohms à 300mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,8V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	7.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	187.3 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	630mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	U-DFN2020-6 (Type E)
Boîtier	6-PowerUDFN
Numéro de produit de base	DMN30