Name: DMN53D0LW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN53D0LW-13DITR-ND
Price: 0.03953 EUR
Availability: OutOfStock

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Diodes Incorporated

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DMN53D0LW-13
Numéro de produit DigiKey	DMN53D0LW-13DITR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN53D0LW-13
Description	MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 50 V 360mA (Ta) 320mW (Ta) Montage en surface SOT-323
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	DMN53D0LW-13 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	50 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	360mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	2ohms à 270mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	1,5V à 100µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	1.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	45.8 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	320mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-323
Boîtier	SC-70, SOT-323
Numéro de produit de base	DMN53

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Bande et bobine