Name: DMN6013LFG-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN6013LFG-13-ND
Price: 0.29729 EUR
Availability: OutOfStock

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DMN6013LFG-13
Numéro de produit DigiKey	DMN6013LFG-13-ND - Bande et bobine
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN6013LFG-13
Description	MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 10,3 A (Ta), 45 A (Tc) 1W (Ta) Montage en surface POWERDI3333-8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	10,3 A (Ta), 45 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	13mohms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	55.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2577 pF @ 30 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	POWERDI3333-8
Boîtier	8-PowerVDFN
Numéro de produit de base	DMN6013