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DMN61D8L-7
Diodes Incorporated
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Équivalent paramétrique

DMN61D8LQ-13
Diodes Incorporated
En stock: 0
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Fiche technique

Équivalent paramétrique

DMN61D8LQ-7
Diodes Incorporated
En stock: 0
Prix unitaire : 0,32000 €
Fiche technique
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SOT-23-3
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DMN61D8L-13

Numéro de produit DigiKey
DMN61D8L-13DITR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant
DMN61D8L-13
Description
MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
12 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 60 V 470mA (Ta) 390mW (Ta) Montage en surface SOT-23-3
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Diodes Incorporated
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
470mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
3V, 5V
Rds On (max.) à Id, Vgs
1,8ohms à 150mA, 5V
Vgs(th) (max.) à Id
2V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
0.74 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
12.9 pF @ 12 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
390mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
SOT-23-3
Boîtier
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base
DMN61
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
10 0000,11050 €1 105,00 €
20 0000,10232 €2 046,40 €
30 0000,09818 €2 945,40 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:0,11050 €
Prix unitaire avec TVA:0,13260 €