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2DB1184Q-13
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2DB1184Q-13
TO-252-3

DMNH6012LK3-13

Numéro de produit DigiKey
DMNH6012LK3-13-ND - Bande et bobine
Fabricant
Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant
DMNH6012LK3-13
Description
MOSFET N-CH 60V 60A TO252
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
12 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 60 V 60 A (Tc) 2W (Ta) Montage en surface TO-252-3
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Diodes Incorporated
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
60 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
12mohms à 25A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
35.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1926 pF @ 30 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TO-252-3
Boîtier
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base
DMNH6012
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Disponible sur commande
Stock usine : 32 500
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
2 5000,40525 €1 013,12 €
5 0000,37788 €1 889,40 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:0,40525 €
Prix unitaire avec TVA:0,48630 €