Name: DMNH6035SPDW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMNH6035SPDW-13TR-ND
Price: 1.752 EUR
Availability: OutOfStock

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DMNH6035SPDW-13
Numéro de produit DigiKey	31-DMNH6035SPDW-13TR-ND - Bande et bobine 31-DMNH6035SPDW-13CT-ND - Bande coupée (CT) 31-DMNH6035SPDW-13DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMNH6035SPDW-13
Description	MOSFET 2N-CH 60V 33A PWRDI50
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 60V 33 A (Tc) 2,4W (Ta), 68W (Tc) Montage en surface, joints de brasure visibles PowerDI5060-8 (Type R)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	33 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs	35mohms à 15A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	16nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	879pF à 25V
Puissance - Max.	2,4W (Ta), 68W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface, joints de brasure visibles
Boîtier	8-PowerTDFN
Boîtier fournisseur	PowerDI5060-8 (Type R)
Numéro de produit de base	DMNH6035