Name: DMP10H400SEQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMP10H400SEQ-13DITR-ND
Price: 0.744 EUR
Availability: OutOfStock

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DMP10H400SE-13

Diodes Incorporated

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DMP10H400SEQ-13
Numéro de produit DigiKey	DMP10H400SEQ-13DITR-ND - Bande et bobine DMP10H400SEQ-13DICT-ND - Bande coupée (CT) DMP10H400SEQ-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMP10H400SEQ-13
Description	MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 100 V 2,3 A (Ta), 6 A (Tc) 2W (Ta), 13,7W (Tc) Montage en surface SOT-223-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	DMP10H400SEQ-13 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	2,3 A (Ta), 6 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	250mohms à 5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	17.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1239 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2W (Ta), 13,7W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-223-3
Boîtier	TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base	DMP10

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