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DMP10H4D2S-13
Diodes Incorporated
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Prix unitaire : 0,37000 €
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Équivalent paramétrique

DMP10H4D2S-7
Diodes Incorporated
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Fiche technique

Équivalent paramétrique

DMP10H4D2SQ-7
Diodes Incorporated
En stock: 0
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Fiche technique
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SOT-23-3
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DMP10H4D2SQ-13

Numéro de produit DigiKey
31-DMP10H4D2SQ-13TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant
DMP10H4D2SQ-13
Description
MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT23 T&R
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
28 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal P 100 V 270mA (Ta) 380mW (Ta) Montage en surface SOT-23-3
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Diodes Incorporated
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal P
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
270mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
4,2ohms à 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
1.8 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
87 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
380mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
SOT-23-3
Boîtier
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Disponible sur commande
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
10 0000,04666 €466,60 €
20 0000,04256 €851,20 €
30 0000,04047 €1 214,10 €
50 0000,03812 €1 906,00 €
70 0000,03673 €2 571,10 €
100 0000,03538 €3 538,00 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:0,04666 €
Prix unitaire avec TVA:0,05599 €