Name: DMP2006UFGQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMP2006UFGQ-13TR-ND
Price: 1.428 EUR
Availability: OutOfStock

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Diodes Incorporated

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DMP2006UFGQ-13
Numéro de produit DigiKey	31-DMP2006UFGQ-13TR-ND - Bande et bobine 31-DMP2006UFGQ-13CT-ND - Bande coupée (CT) 31-DMP2006UFGQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMP2006UFGQ-13
Description	MOSFET P-CH 20V PWRDI3333
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 17,5 A (Ta), 40 A (Tc) 2,3W (Ta), 41W (Tc) Montage en surface POWERDI3333-8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	17,5 A (Ta), 40 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	5,5mohms à 15A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	200 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	7500 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,3W (Ta), 41W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	POWERDI3333-8
Boîtier	8-PowerVDFN
Numéro de produit de base	DMP2006