Name: DMT3006LFG-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT3006LFG-13-ND
Price: 0.30743 EUR
Availability: OutOfStock

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Diodes Incorporated

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DMT3006LFG-13
Numéro de produit DigiKey	DMT3006LFG-13-ND - Bande et bobine
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMT3006LFG-13
Description	MOSFET N-CH 30V PWRDI3333
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 16 A (Ta), 55,6 A (Tc) 27,8W (Tc) Montage en surface POWERDI3333-8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	16 A (Ta), 55,6 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	6mohms à 12A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	22.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1320 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	27,8W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	POWERDI3333-8
Boîtier	8-PowerVDFN
Numéro de produit de base	DMT3006