Name: DMT6004LPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT6004LPS-13DITR-ND
Price: 1.596 EUR
Availability: OutOfStock

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DMT6004LPS-13
Numéro de produit DigiKey	DMT6004LPS-13DITR-ND - Bande et bobine DMT6004LPS-13DICT-ND - Bande coupée (CT) DMT6004LPS-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMT6004LPS-13
Description	MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 22 A (Ta), 90 A (Tc) 2,1W (Ta), 105W (Tc) Montage en surface PowerDI5060-8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	22 A (Ta), 90 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	2,8mohms à 25A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	96.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	4515 pF @ 30 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,1W (Ta), 105W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PowerDI5060-8
Boîtier	8-PowerTDFN
Numéro de produit de base	DMT6004