Name: DMT6010LFG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT6010LFG-7DITR-ND
Price: 1.056 EUR
Availability: OutOfStock

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DMT6010LFG-7
Numéro de produit DigiKey	DMT6010LFG-7DITR-ND - Bande et bobine DMT6010LFG-7DICT-ND - Bande coupée (CT) DMT6010LFG-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMT6010LFG-7
Description	MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 13 A (Ta), 30 A (Tc) 2,2W (Ta), 41W (Tc) Montage en surface POWERDI3333-8
Fiche technique	Fiche technique

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	13 A (Ta), 30 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	7,5mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	41.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2090 pF @ 30 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,2W (Ta), 41W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	POWERDI3333-8
Boîtier	8-PowerVDFN
Numéro de produit de base	DMT6010

Prix unitaire sans TVA:	0,88000 €
Prix unitaire avec TVA:	1,05600 €

DMT6010LFG-7