Name: DMTH15H053SPSW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH15H053SPSW-13TR-ND
Price: 0.3558 EUR
Availability: OutOfStock

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DMTH15H053SPSWQ-13

Diodes Incorporated

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DMTH15H053SPSW-13
Numéro de produit DigiKey	31-DMTH15H053SPSW-13TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMTH15H053SPSW-13
Description	MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 150 V 25 A (Tc) 2,3W (Ta), 107W (Tc) Montage en surface, joints de brasure visibles PowerDI5060-8 (Type UX)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	150 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	25 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	66mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	11.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	814 pF @ 75 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,3W (Ta), 107W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface, joints de brasure visibles
Boîtier fournisseur	PowerDI5060-8 (Type UX)
Boîtier	8-PowerTDFN

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Quantité

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Bande et bobine