Name: DMTH6016LFDFWQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMTH6016LFDFWQ-7-ND
Price: 0.31346 EUR
Availability: OutOfStock

DMTH6016LFDFWQ-7 est disponible à l'achat mais n'est pas normalement stocké.

Substituts disponibles:

Équivalent paramétrique

Diodes Incorporated

En stock: 0

Prix unitaire : 0,20441 €

Équivalent paramétrique

Diodes Incorporated

En stock: 0

Prix unitaire : 0,62000 €

Équivalent paramétrique

Diodes Incorporated

En stock: 0

Prix unitaire : 0,23062 €

Équivalent paramétrique

Diodes Incorporated

En stock: 0

Prix unitaire : 0,84000 €

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

DMTH6016LFDFWQ-7
Numéro de produit DigiKey	DMTH6016LFDFWQ-7-ND - Bande et bobine
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMTH6016LFDFWQ-7
Description	MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 9,4 A (Ta) 1,06W (Ta) Montage en surface U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)
Modèles EDA/CAO	DMTH6016LFDFWQ-7 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	9,4 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	18mohms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	15.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	925 pF @ 30 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,06W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)
Boîtier	6-UDFN plot exposé
Numéro de produit de base	DMTH6016