Name: DMTH61M8LPSQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH61M8LPSQ-13TR-ND
Price: 3.492 EUR
Availability: OutOfStock

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DMTH61M8LPS-13

Diodes Incorporated

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DMTH61M8LPSQ-13
Numéro de produit DigiKey	31-DMTH61M8LPSQ-13TR-ND - Bande et bobine 31-DMTH61M8LPSQ-13CT-ND - Bande coupée (CT) 31-DMTH61M8LPSQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMTH61M8LPSQ-13
Description	MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 225 A (Tc) 3,2W (Ta), 187,5W (Tc) Montage en surface PowerDI5060-8 (Type K)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	225 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,6mohms à 30A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	115.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	8320 pF @ 30 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,2W (Ta), 187,5W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PowerDI5060-8 (Type K)
Boîtier	8-PowerTDFN

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