Name: ZXMN3B04N8TA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN3B04N8TR-ND
Price: 1.92 EUR
Availability: InStock

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ZXMN3B04N8TA
Numéro de produit DigiKey	ZXMN3B04N8TR-ND - Bande et bobine ZXMN3B04N8CT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	ZXMN3B04N8TA
Description	MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 7,2 A (Ta) 2W (Ta) Montage en surface 8-SO
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT)
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	7,2 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	2,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	25mohms à 7,2A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	700mV à 250µA (min)
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	23.1 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2480 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-SO
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Numéro de produit de base	ZXMN3

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Quantité

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Bande et bobine