Name: ZXMN6A11DN8TA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN6A11DN8TR-ND
Price: 1.656 EUR
Availability: InStock

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ZXMN6A11DN8TA
Numéro de produit DigiKey	ZXMN6A11DN8TR-ND - Bande et bobine ZXMN6A11DN8CT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	ZXMN6A11DN8TA
Description	MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 60V 2,5A 1,8W Montage en surface 8-SO
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT)
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	2,5A
Rds On (max.) à Id, Vgs	120mohms à 2,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 250µA (min)
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	5,7nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	330pF à 40V
Puissance - Max.	1,8W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur	8-SO
Numéro de produit de base	ZXMN6

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Quantité

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Bande et bobine