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FBS-GAM02P-R-PSE

Numéro de produit DigiKey
4107-FBS-GAM02P-R-PSE-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
FBS-GAM02P-R-PSE
Description
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 18SMD
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
8 semaines
Référence client
Description détaillée
Haut potentiel et bas potentiel Circuit d’attaque de porte IC Sans inversion Module
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
EPC Space, LLC
Série
-
Conditionnement
En vrac
Statut du composant
Actif
Configuration
Haut potentiel et bas potentiel
Type de canal
Indépendant
Nombre de circuits d'attaque
2
Type de grille
MOSFET (canal N)
Tension - Alimentation
4,5V ~ 5,5V, 5V ~ 50V
Tension logique - VIL, VIH
0,8V, 2,9V
Courant - Sortie de crête (source, absorption)
-
Type d'entrée
Sans inversion
Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice)
100 V
Temps de montée / descente (typ.)
35ns, 22ns
Température de fonctionnement
-55°C ~ 130°C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
Module 18-SMD
Boîtier fournisseur
Module
Numéro de produit de base
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En vrac
Quantité Prix unitaire Prix total
1623,85000 €623,85 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:623,85000 €
Prix unitaire avec TVA:748,62000 €