Name: FDD8896
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 2156-FDD8896-ND
Price: 0.59148 EUR
Availability: InStock

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FDD8896
Numéro de produit DigiKey	2156-FDD8896-ND
Fabricant	Fairchild Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	FDD8896
Description	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 17 A (Ta), 94 A (Tc) 80W (Tc) Montage en surface TO-252 (DPAK)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Fairchild Semiconductor
Série	PowerTrench®
Conditionnement	En vrac
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	17 A (Ta), 94 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	5,7mohms à 35A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	60 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2525 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	80W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-252 (DPAK)
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63