Name: FDG312P
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 2156-FDG312P-ND
Price: 0.24552 EUR
Availability: InStock

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FDG312P
Numéro de produit DigiKey	2156-FDG312P-ND
Fabricant	Fairchild Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	FDG312P
Description	MOSFET P-CH 20V 1.2A SC88
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 1,2 A (Ta) 750mW (Ta) Montage en surface SC-88 (SC-70-6)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDG312P Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Fairchild Semiconductor
Série	PowerTrench®
Conditionnement	En vrac
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	1,2 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	2,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	180mohms à 1,2A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	5 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	330 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	750mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SC-88 (SC-70-6)
Boîtier	6-TSSOP, SC-88, SOT-363