Name: FQP5N60C
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 2156-FQP5N60C-ND
Price: 0.98207 EUR
Availability: InStock

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FQP5N60C
Numéro de produit DigiKey	2156-FQP5N60C-ND
Fabricant	Fairchild Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	FQP5N60C
Description	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 4,5 A (Tc) 100W (Tc) Trou traversant TO-220-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Fairchild Semiconductor
Série	QFET®
Conditionnement	En vrac
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	4,5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	2,5ohms à 2,25A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	19 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	670 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	100W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220-3
Boîtier	TO-220-3