Name: IRFW644BTM
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 2156-IRFW644BTM-ND
Price: 0.5022 EUR
Availability: InStock

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IRFW644BTM
Numéro de produit DigiKey	2156-IRFW644BTM-ND
Fabricant	Fairchild Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	IRFW644BTM
Description	N-CHANNEL POWER MOSFET
Référence client
Description détaillée	Canal N 250 V 14 A (Tc) 3,13W (Ta), 139W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Fairchild Semiconductor
Série	-
Conditionnement	En vrac
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	250 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	14 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	280mohms à 7A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	60 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1600 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,13W (Ta), 139W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-263 (D2PAK)
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB