TO-263-8
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TO-263-8
TO-263-7

G2R120MT33J

Numéro de produit DigiKey
1242-G2R120MT33J-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
G2R120MT33J
Description
SIC MOSFET N-CH TO263-7
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
20 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 3300 V 35A Montage en surface TO-263-7
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
G2R120MT33J Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
3300 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
20V
Rds On (max.) à Id, Vgs
156mohms à 20A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id
-
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
145 nC @ 20 V
Vgs (max.)
+25V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
3706 pF @ 1000 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TO-263-7
Boîtier
Numéro de produit de base
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Tous les prix sont en EUR
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
25079,00512 €19 751,28 €
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:79,00512 €
Prix unitaire avec TVA:94,80614 €