


G2R120MT33J | |
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Numéro de produit DigiKey | 1242-G2R120MT33J-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | G2R120MT33J |
Description | SIC MOSFET N-CH TO263-7 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 20 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 3300 V 35A Montage en surface TO-263-7 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | G2R120MT33J Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Tube | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 3300 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 20V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 156mohms à 20A, 20V | |
Vgs(th) (max.) à Id | - | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 145 nC @ 20 V | |
Vgs (max.) | +25V, -10V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 3706 pF @ 1000 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | - | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | TO-263-7 | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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250 | 79,00512 € | 19 751,28 € |
Prix unitaire sans TVA: | 79,00512 € |
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Prix unitaire avec TVA: | 94,80614 € |