Name: G3R350MT12D
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 1242-G3R350MT12D-ND
Price: 4.884 EUR
Availability: OutOfStock

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G3R350MT12D
Numéro de produit DigiKey	1242-G3R350MT12D-ND
Fabricant	GeneSiC Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	G3R350MT12D
Description	SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 11 A (Tc) 74W (Tc) Trou traversant TO-247-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	GeneSiC Semiconductor
Série	G3R™
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	11 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	15V
Rds On (max.) à Id, Vgs	420mohms à 4A, 15V
Vgs(th) (max.) à Id	2,69V à 2mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	12 nC @ 15 V
Vgs (max.)	±15V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	334 pF @ 800 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	74W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-247-3
Boîtier	TO-247-3
Numéro de produit de base	G3R350

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	4,07000 €	4,07 €
10	3,61800 €	36,18 €
25	3,44560 €	86,14 €
100	3,20520 €	320,52 €
250	3,05912 €	764,78 €
500	2,95600 €	1 478,00 €
1 000	2,84428 €	2 844,28 €
2 500	2,71540 €	6 788,50 €

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.