Name: G12P10KE
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G12P10KETR-ND
Price: 0.912 EUR
Availability: OutOfStock

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G12P10KE
Numéro de produit DigiKey	3141-G12P10KETR-ND - Bande et bobine 3141-G12P10KECT-ND - Bande coupée (CT) 3141-G12P10KEDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Goford Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	G12P10KE
Description	P-100V,ESD,-12A,RD(MAX)<200M@-10
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	8 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 100 V 12 A (Tc) 44,6W (Tc) Montage en surface TO-252
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Goford Semiconductor
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	12 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	200mohms à 6A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	33 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1652 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	44,6W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-252
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63

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