Name: G1K1P06HH
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 4822-G1K1P06HHTR-ND
Price: 0.08662 EUR
Availability: InStock

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G1K1P06HH
Numéro de produit DigiKey	4822-G1K1P06HHTR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Goford Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	G1K1P06HH
Description	MOSFET P-CH 60V 4.5A SOT-223
Référence client
Description détaillée	Canal P 4,5 A (Tc) 3,1W (Tc) Montage en surface SOT-223
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Goford Semiconductor
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	4,5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	110mohms à 4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Vgs (max.)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,1W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-223
Boîtier	TO-261-4, TO-261AA