Name: G2K2P10S2E
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G2K2P10S2ETR-ND
Price: 1.212 EUR
Availability: OutOfStock

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G2K2P10S2E
Numéro de produit DigiKey	3141-G2K2P10S2ETR-ND - Bande et bobine 3141-G2K2P10S2ECT-ND - Bande coupée (CT) 3141-G2K2P10S2EDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Goford Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	G2K2P10S2E
Description	MOSFET 2P-CH 100V 3.5A 8SOP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	8 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 100V 3,5 A (Tc) 3,1W (Tc) Montage en surface 8-SOP
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Goford Semiconductor
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux P (double)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	3,5 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs	200mohms à 3A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	23nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1623pF à 50V
Puissance - Max.	3,1W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur	8-SOP
Numéro de produit de base	G2K2P