Name: G7K2N20HE
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G7K2N20HETR-ND
Price: 0.66 EUR
Availability: InStock

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G7K2N20HE
Numéro de produit DigiKey	3141-G7K2N20HETR-ND - Bande et bobine 3141-G7K2N20HECT-ND - Bande coupée (CT) 3141-G7K2N20HEDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Goford Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	G7K2N20HE
Description	N200V, ESD,2A,RD<0.7@10V,VTH1V~2
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	8 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 200 V 2 A (Tc) 1,8W (Tc) Montage en surface SOT-223
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Goford Semiconductor
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	2 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	700mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	10.8 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	568 pF @ 100 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,8W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-223
Boîtier	TO-261-4, TO-261AA

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