IRF830 Marketplace | Transistors - FET, MOSFET - Simples

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IRF830
Numéro de produit DigiKey	2156-IRF830-ND
Fabricant	Harris Corporation
Numéro de produit du fabricant	IRF830
Description	MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 500 V 4,5 A (Tc) 75W (Tc) Trou traversant TO-220AB
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Harris Corporation
Série	-
Conditionnement	En vrac
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	500 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	4,5 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,5ohms à 2,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	600 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	75W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220AB
Boîtier	TO-220-3