Name: AIMZA75R016M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMZA75R016M1HXKSA1-ND
Price: 21.252 EUR
Availability: OutOfStock

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IMZA75R016M1HXKSA1

Infineon Technologies

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Fiche technique

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AIMZA75R016M1HXKSA1
Numéro de produit DigiKey	448-AIMZA75R016M1HXKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	AIMZA75R016M1HXKSA1
Description	SICFET N-CH 750V 89A PG-TO247-4
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	23 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 750 V 89 A (Tc) 319W (Tc) Trou traversant PG-TO247-4
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolSiC™
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	750 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	89 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	15V, 20V
Rds On (max.) à Id, Vgs	22mohms à 41,5A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id	5,6V à 14,9mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	81 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+23V, -5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2869 pF @ 500 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	319W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	PG-TO247-4
Boîtier	TO-247-4

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	17,71000 €	17,71 €
30	11,15933 €	334,78 €
120	10,14325 €	1 217,19 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.