AUIRF5210STRL Infineon | Transistors - FET, MOSFET - Simples

AUIRF5210STRL est obsolète et n'est plus fabriqué.

Substituts disponibles:

Équivalent paramétrique

Infineon Technologies

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Prix unitaire : 3,40000 €

Similaire

Littelfuse Inc.

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Prix unitaire : 6,90000 €

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AUIRF5210STRL
Numéro de produit DigiKey	AUIRF5210STRLTR-ND - Bande et bobine AUIRF5210STRLCT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	AUIRF5210STRL
Description	MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Référence client
Description détaillée	Canal P 100 V 38 A (Tc) 3,1W (Ta), 170W (Tc) Montage en surface D2PAK
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	AUIRF5210STRL Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT)
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	38 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	60mohms à 38A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	230 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2780 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,1W (Ta), 170W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	D2PAK
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	AUIRF5210