AUIRF7309QTR Infineon Technologies | Produits semi-conducteurs discrets

AUIRF7309QTR est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Prix unitaire : 0,64000 €

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AUIRF7309QTR
Numéro de produit DigiKey	AUIRF7309QTR-ND - Bande et bobine AUIRF7309QCT-ND - Bande coupée (CT) AUIRF7309QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	AUIRF7309QTR
Description	MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 4A, 3A 1,4W Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	AUIRF7309QTR Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Obsolète
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	Canaux N et P
Fonction FET	Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	4A, 3A
Rds On (max.) à Id, Vgs	50mohms à 2,4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	25nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	520pF à 15V
Puissance - Max.	1,4W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur	8-SOIC
Numéro de produit de base	AUIRF7309