AUIRLR3636TRL Infineon | Transistors - FET, MOSFET - Simples

AUIRLR3636TRL est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Infineon Technologies

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Prix unitaire : 1,33000 €

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AUIRLR3636TRL
Numéro de produit DigiKey	AUIRLR3636TRL-ND - Bande et bobine
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	AUIRLR3636TRL
Description	MOSFET N-CH 60V 99A DPAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 50 A (Tc) 143W (Tc) Montage en surface
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	50 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs	6,8mohms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 100µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	49 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3779 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	143W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-252AA (DPAK)
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	AUIRLR3636